首页> 中国专利> 片上CMOS数控互补型低噪声LC振荡器

片上CMOS数控互补型低噪声LC振荡器

摘要

本发明属于无线通信系统收发机芯片设计技术领域,其特征在于:采用数字控制的新颖的互补型MOS变容管对来构成数控LC振荡器,从而减小振荡器的相位噪声和杂散,同时提高振荡器的调频精度,相比于已有方法,本发明所提出的方法能够有效的提高片上CMOS振荡器的性能并降低振荡器的功耗,同时有助于降低接收机的制造成本和功耗。

著录项

  • 公开/公告号CN100471036C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-03-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN200610114086.6

  • 发明设计人 王少华;杨华中;于光明;

    申请日2006-10-27

  • 分类号H03B5/12(20060101);H03L7/099(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100084 北京市100084-82信箱

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-12-21

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H03B 5/12 授权公告日:20090318 终止日期:20151027 申请日:20061027

    专利权的终止

  • 2009-03-18

    授权

    授权

  • 2007-07-04

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-05-09

    公开

    公开

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