机译:28 nm CMOS LC振荡器电路拓扑中的相位噪声的比较分析:HartleyColpitts和共源交叉耦合差分对
机译:28 nm CMOS LC振荡器电路拓扑中相位噪声的比较分析:Hartley,Colpitts和共源交叉耦合差分对
机译:28 nm CMOS LC振荡器差分拓扑中的相位噪声分析:Armstrong,Colpitts,Hartley和共源交叉耦合对
机译:具有Colpitts拓扑的超低相位噪声CMOS LC正交压控振荡器
机译:28 nm CMOS技术中差分振荡器拓扑中相位噪声的比较分析
机译:低压低相位噪声高频CMOS LC压控振荡器的新架构。
机译:28 nm CMOS LC振荡器差分拓扑中相位噪声分析:Armstrong,Colpitts,Hartley和共源交叉耦合对