N型接触钝化太阳电池制造方法及提高良率的方法

摘要

本申请涉及光伏电池领域，具体而言，涉及一种N型接触钝化太阳电池制造方法及提高良率的方法。该制造方法包括以下步骤：制绒、硼扩散、刻蚀、隧穿氧化硅及多晶硅薄膜沉积、磷扩散、去绕镀、氧化铝沉积、双面氮化硅沉积以及丝网印刷。在隧穿氧化硅及多晶硅薄膜沉积步骤，将每两片硅片背靠背竖直放置，沉积隧穿氧化层和多晶硅薄膜；在磷扩散步骤，将每两片硅片背靠背水平放置，进行磷扩散。该方法，多晶硅薄膜沉积步骤中两个硅片之间的缝隙较大，使得多晶硅绕镀区域绕较大，磷扩散步骤，两个硅片之间的缝隙较小，使得磷扩散绕镀区较小，从而使得磷扩散绕镀区域局限在多晶硅绕镀区域内部，避免后续去绕镀工序对硼结的破坏，从而提高了电池良率。