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公开/公告号CN105518190B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-27
原文格式PDF
申请/专利权人 GTAT公司;
申请/专利号CN201480049194.2
发明设计人 R·V·德切夫;P·萨坦纳日哈瓦;A·M·安德凯威;D·S·李特尔;
申请日2014-09-05
分类号C30B29/36(20060101);C30B23/00(20060101);
代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟
地址 美国新罕布什尔州
入库时间 2022-08-23 12:23:20
机译: 用于生产碳/硅碳化物复合材料的粉末组合物,碳/硅碳化物复合材料的生产以及碳/硅碳化物复合材料的生产
机译: 单晶硅碳化物基质,制造单晶硅碳化物基质的方法以及单晶硅碳化物基质的检查方法
机译: 单晶硅碳化物膜的基础材料,单晶硅碳化物膜的制造方法以及单晶硅碳化物膜的基础材料的制造方法
机译:用碳化物微铣刀用碳化物硅表面纹理化的实验研究
机译:碳化物(C / SiC纳米复合材料)的热解形态和表面性质,碳化物是用选定的含硅前体改性的煤焦油沥青
机译:气氛对掺硼碳化物纳米晶邻硅碳化物烧结的影响
机译:碳化物构型对埋弧电弧炉生产硅中电流分布的影响-一种建模方法
机译:6Hα-硅碳化物半导体材料上金属氧化物-半导体电容器的研究。
机译:荧光硅的光致发光量子产率碳化物由积分球设置确定
机译:用于太阳能级硅生产的碳化物沉积去除金属硅中的碳
机译:钚硅氧化物和钚硅碳化物的分析