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从硅碳化物先驱物来生产大块硅碳化物的方法和器具

摘要

本文公开一种生产硅碳化物的方法。本方法包括以下步骤:提供升华炉,其包括炉壳、至少一个位于炉壳外的加热元件、和位于炉壳内由绝热体包围的热区。热区包括具有位于下区域的硅碳化物先驱物和位于上区域的硅碳化物晶种的坩埚。热区经加热以升华硅碳化物先驱物,于硅碳化物晶种的底部表面形成硅碳化物。同样公开用以生产硅碳化物的升华炉以及所生产的硅碳化物材料。

著录项

  • 公开/公告号CN105518190B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 GTAT公司;

    申请/专利号CN201480049194.2

  • 申请日2014-09-05

  • 分类号C30B29/36(20060101);C30B23/00(20060101);

  • 代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟

  • 地址 美国新罕布什尔州

  • 入库时间 2022-08-23 12:23:20

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