使用高密度等离子体化学气相沉积填充缝隙的方法和沉积材料的方法

摘要

本发明涉及在半导体基底中填充缝隙的方法。在反应室中提供基底和含有至少一种重氢化合物的气体混合物。使该气体混合物反应而通过同时进行的层沉积和蚀刻在基底上形成材料层。该材料层填充缝隙，使得缝隙内的材料是基本上没有间隙的。本发明包括提供改善沉积速率均匀性的方法。材料在至少一种选自D₂、HD、DT、T₂和TH的气体的存在条件下沉积在表面上。在沉积期间净沉积速率横跨表面具有的偏差程度在其他方面基本上相同的条件下相对于使用H₂沉积发生的偏差程度获得了可测得的改善。