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一种电介质击穿测试电路及其测试方法

摘要

本发明公开了一种电介质击穿测试电路及其测试方法,所述电介质击穿测试电路包括至少两个串联的测试电路,所述测试电路包括:电阻;二极管,其正极电性连接于所述电阻的一端;电熔丝,其一端电性连接于所述二极管的负极;测试点,其一端电性连接于所述电熔丝的另一端,所述测试点的另一端电性连接于所述电阻的另一端;其中,每个所述测试电路的一端为所述电阻和所述测试点的连接点,另一端为所述二极管和所述电熔丝的连接点。通过本发明提供的一种电介质击穿测试电路,可提高获得特征寿命的效率。

著录项

  • 公开/公告号CN112986772B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 晶芯成(北京)科技有限公司;

    申请/专利号CN202110421520.X

  • 发明设计人 目晶晶;田文星;

    申请日2021-04-20

  • 分类号G01R31/12(20060101);

  • 代理机构31219 上海光华专利事务所(普通合伙);

  • 代理人朱艳

  • 地址 102199 北京市大兴区经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54

  • 入库时间 2022-08-23 12:17:47

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