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包括位于发光区的至少一个势垒层内的至少一个带隙宽于势垒层带隙的中间层的发光二极管

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摘要

一种发光二极管(100)，包括：分别掺杂n型和p型的第一半导体层和第二半导体层(102，104)，该第一半导体层和第二半导体层(102，104)形成p‑n结；位于第一半导体层和第二半导体层之间的有源区(105)，该有源区(105)包括能够形成量子阱的In_XGa_1‑XN发射层(106)和其间放置有该发射层的两个In_YGa_1‑YN(0WGa_1‑WN，0VGa_1‑VN，V>W>0。

著录项

公开/公告号CN109075223B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-27

原文格式PDF
申请/专利权人原子能和替代能源委员会;
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申请/专利号CN201780026495.7
发明设计人阿梅勒·埃旺;米里亚姆·伊劳尼格-亚姆罗兹;伊凡-克里斯托夫·罗宾;
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申请日2017-04-25
分类号H01L33/06(20060101);H01L33/12(20060101);H01L33/32(20060101);H01L33/14(20060101);
代理机构11270 北京派特恩知识产权代理有限公司;
代理人王娜丽;姚开丽
地址法国巴黎
入库时间 2022-08-23 12:12:33

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专利
中文文献
外文文献

1. 包括位于发光区的至少一个势垒层内的至少一个带隙宽于势垒层带隙的中间层的发光二极管 [P] . 中国专利： CN109075223B . 2021.07.27
2. 包括位于发光区的至少一个势垒层内的至少一个较宽带隙中间层的发光二极管 [P] . 中国专利： CN109075223A . 2018-12-21
3. Light-emitting diode comprising at least one wider bandgap intermediate layer placed in at least one barrier layer of the light-emitting zone [P] . 美国专利： US10629773B2 . 2020-04-21

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4. A light emitting diode comprising at least one wider bandgap intermediate layer located in at least one barrier layer of a light emitting region [P] . 韩国专利： KR20180137017A . 2018-12-26

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5. LIGHT-EMITTING DIODE COMPRISING AT LEAST ONE WIDER BANDGAP INTERMEDIATE LAYER PLACED IN AT LEAST ONE BARRIER LAYER OF THE LIGHT-EMITTING ZONE [P] . 美国专利： US2019157505A1 . 2019-05-23

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