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时强; 李路平; 张勇辉; 张紫辉; 毕文刚;
河北工业大学电子信息工程学院;
天津市电子材料与器件重点实验室;
氮化镓; 发光二极管; InGaN/GaN多量子阱; 内量子效率;
机译:在GaN纳米棒中生长有GaN表面势垒的In_xGa_(1-x)N / GaN多量子盘的载流子限制效应
机译:通过在GaN / In_xGa_(1-x)N多量子阱的GaN势垒层中进行Siδ掺杂来改善光致发光
机译:通过减小最后一个势垒的厚度来提高InGaN / GaN发光二极管的效率
机译:用于太阳能电池的(铟,镓)砷化物量子点材料:应变降低和应变补偿势垒对量子点结构和光学性质的影响
机译:具有优化的GaN势垒的InGaN / GaN多层量子点黄绿色发光二极管
机译:通过定制InGaN / GaN发光二极管中的最后一个量子势垒,同时增强电子溢流减少和空穴注入促进
机译:Gaas(1-X)p(X)及其他Iii-V族化合物电致发光二极管的内量子效率研究
机译:使用具有纯效应量子势垒和夹在其间的非纯效应量子势垒的多量子阱结构的电光调制器
机译:量子点半导体光放大器在下部势垒层上具有几个量子点,并带有侧面势垒层
机译:用于检测外部影响的场效应晶体管具有有源半导体层,该有源半导体层在两个电触点之间都具有势垒,该势垒支配电荷传输,互易性随势垒而变化
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