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具有减小的寄生效应的纳米线晶体管和用于制作这种晶体管的方法

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提供了一种纳米线(130)晶体管，其包括具有用于使替代金属栅极(405)与寄生沟道绝缘的局部隔离区域(120)的阱注入以及在延伸区域中的氧化帽，其抑制寄生的栅极到源极和栅极到漏极电容。用于制作器件的方法包括形成交替的选择性可蚀刻的层(例如，Si和SiGe)的鳍；用蚀刻停止掺杂剂(碳)来掺杂这些层的(源极/漏极)延伸区域；执行针对一种材料的选择性蚀刻；以及选择性氧化对应于牺牲层的延伸区域(215)，由此形成氧化帽(125)。

著录项

公开/公告号CN108430911B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-23

原文格式PDF
申请/专利权人高通股份有限公司;
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申请/专利号CN201680076411.6
发明设计人 M·巴达洛格鲁;V·麦考森;S·S·宋;J·J·徐;M·M·诺瓦克;C·F·耶普;
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申请日2016-10-27
分类号H01L29/775(20060101);H01L21/335(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/08(20060101);B82Y10/00(20110101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人王茂华
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 12:11:25

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专利
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外文文献

1. 具有减小的寄生效应的纳米线晶体管和用于制作这种晶体管的方法 [P] . 中国专利： CN108430911B . 2021.07.23
2. 具有减小的寄生效应的纳米线晶体管和用于制作这种晶体管的方法 [P] . 中国专利： CN108430911A . 2018-08-21
3. Process for fabricating a field-effect transistor device implemented on a network of vertical nanowires, the resulting transistor device, an electronic device comprising such transistor devices and a processor comprising at least one such device [P] . 美国专利： US9379238B2 . 2016-06-28

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