公开/公告号CN112510664B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-27
原文格式PDF
申请/专利权人 微龛(广州)半导体有限公司;
申请/专利号CN202110150715.5
申请日2021-02-04
分类号H02H9/02(20060101);H01L27/02(20060101);G06F30/30(20200101);
代理机构31219 上海光华专利事务所(普通合伙);
代理人佟婷婷
地址 510663 广东省广州市高新技术产业开发区科学大道18号A栋十一层1101单元
入库时间 2022-08-23 11:41:14
机译: 利用平面图设计保护集成电路免受ESD事件的静电放电(ESD)保护结构以及相关的集成电路和ESD保护方法
机译: 静电放电(ESD)保护结构,利用地板计划设计来保护集成电路不受ESD事件影响,以及相关的集成电路和ESD保护方法
机译: ESD-具有二极管行电路的保护结构以及具有该保护结构的半导体电路