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基于二极管的ESD保护结构设计、制备方法及保护电路

摘要

本发明提供一种基于二极管的ESD保护结构的设计方法、制备方法及基于其的ESD保护电路,设计方法包括:选择单边突变结二极管,获取击穿电压;获取所述单边突变结二极管雪崩击穿时的雪崩电流;基于公式获取预设温度下平均一次碰撞电离后的电流为参考电流;定义预设次数碰撞电离电流为安全电流,并基于ESD保护结构需要泄放的电流计算二极管的总面积。本发明可以基于安全电流的设计方法得到有效的二极管的总面积,有效解决基于二极管的ESD保护结构难以有效设计的问题,提高了电路双向ESD保护效果。

著录项

  • 公开/公告号CN112510664B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 微龛(广州)半导体有限公司;

    申请/专利号CN202110150715.5

  • 申请日2021-02-04

  • 分类号H02H9/02(20060101);H01L27/02(20060101);G06F30/30(20200101);

  • 代理机构31219 上海光华专利事务所(普通合伙);

  • 代理人佟婷婷

  • 地址 510663 广东省广州市高新技术产业开发区科学大道18号A栋十一层1101单元

  • 入库时间 2022-08-23 11:41:14

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