退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN110139951B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-09
原文格式PDF
申请/专利权人 胜高股份有限公司;
申请/专利号CN201780082253.X
发明设计人 末若良太;
申请日2017-12-07
分类号C30B29/06(20060101);C30B15/22(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人杨戬
地址 日本东京都
入库时间 2022-08-23 11:38:30
机译: 硅熔体表面高度位置的计算方法,单晶硅的提拉方法及单晶硅的提拉装置
机译: 单晶硅提拉装置及单晶硅提拉方法
机译:直拉法在单晶硅提拉炉中液面位置在线测量技术的发展
机译:直拉法在单晶硅提拉炉中单晶截面形状在线测量技术的发展
机译:有无CUSP磁场时提拉法生长单晶硅的传热及氧运输的数值模拟
机译:通过连续Czochralski方法进行光学诱导降解P型Perc细胞的加入单晶硅掺杂单晶硅
机译:亚临界条件下单晶硅的各向异性刻蚀
机译:用于表面精加工和电性能的单晶硅晶片激光研磨
机译:C面4H-siC(0001)沉积对单晶硅和单晶硅热电势的影响 多层石墨烯在aa,aB和aBC堆叠中的应用
机译:加工参数研究选择大型单晶硅光学器件spDT的最佳条件