单晶硅的提拉条件计算程序、单晶硅的热区的改良方法以及单晶硅的培育方法

摘要

本发明提供一种提拉条件计算程序，其使计算机执行：设定与固液界面高度以及单晶硅的液面与热屏蔽板的距离对应的多个提拉条件，对各提拉条件执行：计算热通量(q)(W/m2)以及晶体表面温度(T)的步骤(S2)；将由下述式(1)得出的参考温度(Tref)及固液界面形状设定为边界条件的步骤；重新计算晶体内温度分布的步骤(S3)；计算单晶硅内的平均应力的步骤(S4)；根据平均应力及晶体内温度分布计算提拉方向的缺陷分布的步骤(S5)；求出提拉方向的无缺陷区域的步骤(S6)；在距离以及固液界面高度的二维坐标上，生成无缺陷区域的大小的等高线的步骤(S8)。