一种双向生长的超晶格相变单元的制备方法及相变存储器

摘要

本发明公开了一种双向生长的超晶格相变单元的制备方法及相变存储器，超晶格相变存储材料由第一、第二相变层交替堆叠而成；该制备方法包括：提供第一衬底层，在第一衬底层上沉积第一相变层；提供第二衬底层，在第二衬底层及已沉积第一相变层的第一衬底层上同步交替沉积第二相变层、第一相变层，直至第一衬底层和第二衬底层上的相变材料层的总量达到所需层数；在第一衬底层或第二衬底层的最外层沉积第二相变层；采用加压和退火组装的方法将第一衬底层、第二衬底层上的相变层对接在一起；本发明同时在两个衬底上交替沉积超晶格材料，然后将两个衬底上的相变层组装在一起，大大提高超晶格薄膜的生长速率及所用原材料的利用率。