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硅晶圆的最终抛光方法和最终抛光装置

摘要

本发明公开了硅晶圆的最终抛光方法和最终抛光装置,其中,最终抛光方法包括在所述最终抛光进行至剩余预定时间内,同时使用抛光浆料和氧化溶液作为抛光液,以使得硅晶圆表面形成亲水性氧化硅薄膜。由此,采用该最终抛光方法可以有效地在硅晶圆表面形成亲水性氧化硅薄膜,而该亲水性氧化硅薄膜可以在清洗前有效保持硅晶圆表面湿润,避免硅晶圆表面干燥,同时省去了长时间抛光布修整磨合期,显著提高了处理效率同时降低了成本。

著录项

  • 公开/公告号CN109648451B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 徐州鑫晶半导体科技有限公司;

    申请/专利号CN201811636945.7

  • 发明设计人 郑加镇;

    申请日2018-12-29

  • 分类号B24B29/02(20060101);B24B1/00(20060101);

  • 代理机构11201 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人赵天月

  • 地址 221004 江苏省徐州市徐州经济开发区杨山路66号

  • 入库时间 2022-08-23 11:23:49

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