基于衬底偏置效应的多位存算一体SRAM及实现方法

摘要

本发明属于计算机架构领域，涉及一种基于衬底偏置效应的多位存算一体SRAM及实现方法。本发明是利用金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管(MOSFET)衬底偏置效应通过调整MOSFET衬底电压以此来调整阈值电压的特性，使单个MOSFET相同栅压下，可以输出不同大小的源漏电流。在包括但不限于6T SRAM、4T2R SRAM等1bit存储模块结构的基础上，增加读取模块用于数据读取。读取模块中有包括但不限于单管乘法器、差分对乘法器等运算单元结构，通过调节读取模块中的运算单元，使其输出不同大小的电流，根据读取到的电流大小与基准电流的比值，赋予每个存储单元存储权重，以此来在一个存储单元内存储多位数据,在存储的同时可以进行包括但不限于点积等运算功能。