SRAM存算架构下多行读取的电流镜补偿电路设计

目录

第一章 绪论

1.1 研究背景

1.2 国内外研究概况

1.3 本文所研究的内容

1.4 本文的章节安排

第二章 SRAM 时序控制电路技术和存内计算技术

2.1 SRAM基本架构描述

2.2 SRAM关键路径电路分析ue5d2ue5d2

2.3 SRAM基本工作原理ue5d2ue5d2

2.3.1 读操作

2.3.2 写操作

2.3.3 数据保持

2.4 复制位线技术

2.4.1 传统复制位线技术

2.4.2 多级复制位线技术

2.4.3 流水线复制位线技术(Pipeline replica bitline, PRB)

2.5 基于SRAM存储单元的存内计算技术

2.5.1 基于SRAM的存内差的绝对和运算

2.5.2 基于SRAM的带符号位的多位权重的乘法

2.5.3 基于SRAM的机器学习分类器的存内计算

2.6 小结

第三章 基于电流镜的位线放电补偿电路

3.1 多行读取技术

3.1.1 多行读取原理

3.1.2 多行读取数据稳定性分析

3.1.3 解决方法

3.2 位线放电补偿的必要性

3.3 仿真时序的设置

3.4 电流镜补偿电路

3.4.1 基本电流镜

3.4.2 共源共栅电流镜

3.4.3 电流镜补偿原理

3.4.4 衡量补偿性能的方法

3.4.5 数据仿真结果

3.5 小结

第四章 基于复制位线技术的字线脉冲产生电路

4.1 基于反相器链的字线脉冲产生电路

4.1.1 延迟链技术

4.1.2 反相器链字线脉冲产生电路

4.1.3 反相器链仿真结果

4.2 基于复制位线的字线脉冲产生电路

4.2.1电路结构

4.2.2 复制位线仿真结果

4.3 小结

总结与展望

总结

展望

参考文献

攻读硕士学位期间取得的学术成果

致谢