法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-12-25
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 51/40 授权公告日:20080910 终止日期:20121107 申请日:20031107
专利权的终止
2013-12-25
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 51/40 授权公告日:20080910 终止日期:20121107 申请日:20031107
专利权的终止
2008-09-10
授权
授权
2008-09-10
授权
授权
2007-01-10
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20061208 申请日:20031107
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2007-01-10
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20061208 申请日:20031107
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2007-01-10
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20061208 申请日:20031107
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2006-12-13
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-12-13
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-05-11
公开
公开
2005-05-11
公开
公开
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机译: 用于化合物半导体的外延层生长的化学有机金属气相生长装置
机译: 通过有机金属化学气相沉积成功沉积掺杂的II-VI外延层的方法
机译: 外延等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法为外延层提供了衰减的缺陷