机译:GaN模板对通过有机金属化学气相沉积(MOCVD)在铟非常富集的条件下生长到AlInN外延层中的意想不到的Ga原子的贡献
机译:金属有机化学气相沉积在GaN外延层上生长的富GaN薄GaNP层的V形缺陷和光致发光的研究
机译:我们在Si底物上报告了常常数-FaN基的异质结场效应晶体管(HFET)。使用金属化学气相沉积(MOCVD)生长AlGaN / AIN / GaN异质结构。用于常关操作的HFET W.
机译:金属化学气相沉积种植的氮化镓外膜中的极性控制
机译:金属有机化学气相沉积生长基于ZnGa2O4外延层的NO气体传感器
机译:冶金化学气相沉积在蓝宝石和ALN模板上生长的Ingan / GaN多量子井太阳能电池的比较研究
机译:通过mOCVD(金属有机化学气相沉积)生长的高(Tc)超导薄膜的研究:进展报告,1986年7月1日 - 1989年9月30日。