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一种基于双模冗余的抗软错误老化预测传感器

摘要

本发明公开了一种基于双模冗余的抗软错误老化预测传感器,涉及集成电路技术领域,通过在POMS管M1输入复位信号PWD,对点X1、点X2、点Y1、点Y2进行充电,使得X1=X2=Y1=Y2=1;充电完成后,组合逻辑电路的输出信号Co进入延时电路的输出信号GB保护带时,进入检测部分,当组合逻辑电路未发生老化时,或非门输出低电平;当组合逻辑电路发生老化时,或非门输出高电平;当组合逻辑电路发生老化时注入软错误时仍能检测出组合逻辑电路发生老化,即或非门输出高电平。本发明优点在于:能够在组合逻辑电路发生老化时注入软错误还是组合逻辑电路未发生老化时注入软错误都能有效检测出正确的信号,并节省面积开销。

著录项

  • 公开/公告号CN108646170B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 安徽理工大学;

    申请/专利号CN201810459775.3

  • 申请日2018-05-15

  • 分类号G01R31/28(20060101);

  • 代理机构34124 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人丁瑞瑞

  • 地址 232001 安徽省淮南市安徽理工大学(泰丰大街168号)

  • 入库时间 2022-08-23 11:19:22

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