一种在锗衬底上外延生长单晶钛酸钡薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种在锗衬底上外延生长单晶钛酸钡薄膜的方法，属于单晶薄膜外延制备领域。对(001)取向的Ge衬底进行超声清洗，然后装入脉冲激光沉积系统的腔室中，并将腔室抽至背底真空，将衬底加热至800℃，维持一定的气压和温度状态后，对衬底进行退火处理，使其表面重构以便后续薄膜生长过程中薄膜的结晶，调整气压和温度，控制温度在500‑800℃，打开激光器，进行薄膜生长，至一定程度后停止生长，使衬底自然降温，待样品降至室温后向腔室内通入空气，打开腔体取出样品，完成生长。可以简便地、低成本地实现Ge上钛酸钡薄膜的外延生长，得到的薄膜界面清晰、薄膜为单晶外延生长、薄膜表面平整。