带有3D鳍式场效应晶体管结构的分裂栅非易失性存储器单元及其制作方法

摘要

本发明公开了一种非易失性存储器单元，其包括具有鳍形上表面的半导体衬底，所述鳍形上表面具有顶部表面和两个侧表面。源极区和漏极区形成在所述鳍形上表面部分中，沟道区位于源极区和漏极区之间。导电浮栅包括沿所述顶部表面的第一部分延伸的第一部分，以及分别沿所述两个侧表面的第一部分延伸的第二部分和第三部分。导电控制栅包括沿所述顶部表面的第二部分延伸的第一部分、分别沿所述两个侧表面的第二部分延伸的第二部分和第三部分、沿所述浮栅第一部分的至少一些向上并在其上方延伸的第四部分、以及分别延伸出并在所述浮栅第二部分和第三部分的至少一些上方延伸的第五部分和第六部分。