公开/公告号CN108511528B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-06
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;
申请/专利号CN201810320962.3
申请日2018-04-11
分类号H01L29/78(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/267(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构61211 西安智邦专利商标代理有限公司;
代理人胡乐
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
入库时间 2022-08-23 11:11:25
机译: 具有深的全耗尽漏极漂移区的高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOSFET)
机译: 具有深的全耗尽漏极漂移区的高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOSFET)
机译: 具有深耗尽区的高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOSFET)