公开/公告号CN100394616C
专利类型发明授权
公开/公告日2008-06-11
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;
申请/专利号CN200510096163.5
申请日2005-10-14
分类号H01L29/78(20060101);H01L29/02(20060101);H01L27/00(20060101);H01L21/336(20060101);H01L21/822(20060101);
代理机构61205 陕西电子工业专利中心;
代理人王品华;朱红星
地址 710071 陕西省西安市太白路2号
入库时间 2022-08-23 09:00:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-12-10
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 授权公告日:20080611 终止日期:20131014 申请日:20051014
专利权的终止
2008-06-11
授权
授权
2006-07-26
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-05-31
公开
公开
机译: 隔离的高性能VDMOS晶体管和高压P型沟道MOS晶体管的结构均与CMOS,NPN和PNP晶体管以及二极管进行小泄漏集成
机译: 隔离式,高性能,功率vdmos晶体管和高压p沟道mos晶体管与cmos,npn,pnp晶体管和低泄漏二极管的单片集成
机译: VDMOS晶体管,包括VDMOS晶体管的BCD器件以及用这种器件制造集成电路的方法