热电子过激励隧道场效应晶体管及其制造和操作方法

摘要

本发明提供了一种场效应晶体管，其包括具有堆叠半导体的第一沟道层和堆叠半导体的第二沟道层的纳米片材堆叠件。第一沟道层限定了隧道场效应晶体管的沟道区，并且第二沟道层限定了热电子场效应晶体管的沟道区。源极区和漏极区设置在纳米片材堆叠件的相对两侧上，以使得第一沟道层和第二沟道层在它们之间延伸。源极区的第一部分邻近第一沟道层，源极区的第二部分邻近具有相反半导体导电类型的第二沟道层。本发明还讨论了相关的制造和操作方法。