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郭靖; 蒋建飞; 蔡琪玉;
上海交通大学微电子研究所,上海,200030;
纳米器件; 半导体场效应晶体管; 肖特基势垒; 热电子发射; 弹道输运;
机译:InAs,InSb和GaSb N沟道纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管在弹道输运极限中的性能比较
机译:全弹道输运下超薄绝缘体上的Ge沟道n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管驱动电流增强的物理原因
机译:圆柱型全栅双晶硅纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管中弹道输运的实验证据
机译:纳米金属氧化物半导体场效应晶体管低频噪声的紧凑模型
机译:弹道单层黑色磷金属氧化物半导体场效应晶体管的紧凑型造型
机译:厚度调制半导体到砷中金属跃迁的无掺杂砷异质结构金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:弹道石墨烯纳米金属氧化物半导体场效应晶体管:全空间量子传输仿真
机译:半导体碳纳米管场效应晶体管中的电输运和沟道长度调制。
机译:纳米金属氧化物半导体(MOS)场效应晶体管(FET)(MOSFET)采用具有圆形纳米结构的纳米通道结构
机译:纳米金属氧化物半导体(MOS)场效应晶体管(FET)(MOSFET)采用纳米通道结构,采用导电结构来传导耦合纳米结构
机译:具有栅绝缘层的不同厚度的金属氧化物半导体场效应晶体管器件的形成方法,该不同厚度的层可以改善低电压金属氧化物半导体场效应晶体管器件和高电压金属氧化物半导体器件的性能
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