相位反转空白掩模及光掩模

摘要

本发明涉及相位反转空白掩模及光掩模，相位反转空白掩模的遮光膜由具有包括第一遮光层及第二遮光层的多层膜或连续膜结构的金属化合物形成。第二遮光层比第一遮光层，每单位厚度的曝光波长的光密度更高，第一遮光层的厚度为遮光膜的总厚度的70％～90％。这种空白掩模可确保遮光性，改善刻蚀速度，且可薄膜化抗蚀膜的厚度，从而可实现微细图案。