法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-26
授权
授权
2017-09-22
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C13/00 申请日:20170411
实质审查的生效
2017-08-29
公开
公开
机译: 忆阻材料的形成方法及具有忆阻作用的电极结构
机译: 具有改善操作性能的多发射极型双极结型晶体管,一种双极CMOS DMOS器件,一种制造多发射极型双极结型晶体管的方法以及一种制造双极CMOS DMOS的方法
机译: 基于互补忆阻二极管单元的3D存储矩阵