以减少远处散射的栅极氧化制造高性能金属氧化物半导体晶体管的方法

摘要

本发明是关于一种MOS晶体管结构(200，210，400)，和一种制造方法(300，500)，提供高k电介质栅极绝缘体(202，402)以降低栅极漏电流并同时减少远处散射，由此改善晶体管载流子迁移率。