一种阻变存储器的机理的研究方法

摘要

本发明公开了一种阻变存储器的机理的研究方法，包括：步骤A、提供阻变存储器中所用的活性层材料，将所述活性层材料在基底上制作成薄膜；步骤B、将AFM调至接触模式下，利用导电原子力探针对所述薄膜的表面进行载流子的注入，形成载流子注入区；步骤C、将AFM原位切换至表面电势测量模式，在保护气氛中对包含所述载流子注入区的区域进行连续的扫描，得到扫描区域的表面电势图，根据所述表面电势图评估载流子在所述活性层材料中的行为能力。本发明是基于原位进行载流子注入、连续扫描，进而评估载流子在活性材料中的注入、迁移和保留的能力，进而可以判断阻变行为是否是由活性层对电荷的俘获/释放所引起，检测结果准确可靠。