机译:原子层沉积Nb_2O_5薄膜在非易失性存储器中的双极阻变特性
Atomic layer deposition; Nb_2O_5; Nonvolatile memory; Resistive switch;
机译:原子层沉积Nb_2O_5薄膜在非易失性存储器中的双极阻变特性
机译:改善非易失性存储器应用的Au掺杂镍铁氧体磁性薄膜的单极电阻切换特性
机译:用于非易失性存储应用的La_2Mo_2O_9薄膜中的单极电阻切换特性和缩放行为
机译:用于非易失性存储应用的外延La0.67Sr0.33MnO3薄膜的电阻开关特性
机译:多层薄膜磁阻存储元件的开关阈值研究
机译:原子层沉积的Al2O3 / HfO2 / Al2O3三层结构在非易失性存储应用中具有出色的电阻切换特性
机译:原子层沉积TiO 2薄膜的集成与表征,用于电阻开关应用