一种防止多晶硅刻蚀中器件等离子损伤的刻蚀工艺

摘要

本发明提供了一种能够防止多晶硅刻蚀中器件等离子损伤的刻蚀工艺，包括以下步骤：贯穿刻蚀、主刻蚀、聚积电荷释放和过刻蚀。其中聚集电荷释放步骤中通过调整导电工艺气体N₂和载气He比例和流量，以及调整工艺的射频功率和反应压力，可以有效消除刻蚀过程中高负电性反应气体造成的非平衡电荷积累，达到避免栅氧层击穿的作用。本发明的工艺简单，无需对设备的硬件系统进行优化设计，对各种形状、类型器件都有良好的适应性。