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陈正明;
南京电子器件研究所;
等离子刻蚀; 砷化镓; CAD; 监控;
机译:晶圆刻蚀工艺中等离子刻蚀腔室的维修计划
机译:在化学辅助离子束刻蚀系统中GaAs和GaN刻蚀行为的比较
机译:用GaAs干法刻蚀高速原子束研究谐振隧道器件的制造工艺
机译:反应离子刻蚀和等离子体灰化过程中等离子体诱导的损伤对离子注入GaAs MESFET沟道层的影响
机译:GaAs静电感应功率器件制造技术研究
机译:通过刻蚀停止层纳米层的清洁界面工艺增强a-IGZO TFT器件的性能
机译:低能聚焦离子束对GaAs干法刻蚀工艺及辐照损伤的研究
机译:用于VLsI(超大规模集成)器件的集成电路制造工艺的计算机辅助设计(半导体集成电路的计算机辅助工程)
机译:/异质结半导体器件的GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法和使用GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法制造p-HEMT的方法
机译:半导体器件制造过程中等离子体刻蚀腔内压力的测量以及压力测量和刻蚀效率的同步测量
机译:干法刻蚀层序列,用于各向异性刻蚀含铝基板,方法是在包含卤素的气体等离子中刻蚀第四层,并在包含卤素和氮的气体中等离子体刻蚀第三层
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