摘要:该文报道了利用等离子辅助分子束外延(P-MBE)技术,在蓝宝石c-平面上外延生长的Mg<,x>Zn<,1-x>O单晶薄膜以及MgZnO/ZnO异质结构的光学性质.ZnO和Mg<,x>Zn<,1-x>O的X射线衍射谱(XRD)和反射式高能电子衍射(RHEED)图样都说明样品是高质量的单晶薄膜.室温光致发光谱有很强的紫外发光峰,且随着Mg浓度增加,发光峰与吸收边向高能侧移动.通过研究样品的发光强度与温度的关系,得到ZnO和Mg<,0.08>Zn<,0.92>O薄膜样品的紫外发光分别来源于自由和束缚激子的辐射复合.Mg<,0.08>Zn<,0.92>O/ZnO异质结构样品在室温下测得3.287eV的位置有很强的紫外发光,而在3.535eV的位置处有一个相对较弱的发光,与ZnO和Mg<,x>Zn<,1-x>O的发光峰位置几乎相对应,室温下的吸收光谱中在上述两个发光峰的位置附近存在两个很明显的吸收,因此认为这两个峰分别被归结于来自ZnO层和MgZnO盖层.比较MgZnO/ZnO异质结构与ZnO、Mg<,0.08>Zn<,0.92>O薄膜样品的两个紫外发光峰的积分强度与温度的关系,得出MgZnO/ZnO异质结构的发光分别来源于MgZnO盖层的束缚激子发射和ZnO层的自由激子发射.