用于非接触式测量P-N结的薄层电阻及分流电阻的方法及设备

摘要

非接触式测量p‑n结的特性包含：用光照明p‑n结的表面的照明区域；用第一电极测量来自所述p‑n结的第一区域的第一结光电压JPV信号；用第二电极测量来自第二区域的第二JPV信号；用参考电极测量来自第三区域的第三JPV信号；及用经校正第一JPV信号、经校正第二JPV信号、经校正第一校准JPV信号、经校正第二校准JPV信号或校准p‑n结的已知薄层电阻确定所述p‑n结顶层的薄层电阻。