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第十三届全国红外科学技术交流会

召开年：1998
召开地：北京
出版时间： 2000-01-01

主办单位：;中国科学院上海技术物理研究所;;

会议文集：第十三届全国红外科学技术交流会论文集

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1.测辐射热计红外探测器的转换特性
- 周士源;皮德富;房红兵
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文简单介绍了一种可在室温（非制冷）下工作的低成本测辐射热计红外探测器焦平面阵列。叙述了工作原理并详尽地演算了测辐射热计将红外光信号转换成电信号的输出电压值，指出器件结构必须有极低的热导。
2.SPRITE相当于分立器件（串接）的等效数
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
3.一种高陡度离轴非球面的加工工艺
- 回长顺;洪林
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
4.红外中波带通滤光片的研制
- 季一勤;洪伟;李福升
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文简述了中波2～5μm范围内的几种滤光片的基本设计思路及试验结果。
- 带通滤光片;
- 红外;
5.CW-106红外干扰模拟器研制
- 李金铎
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文介绍了干扰模拟器组成和工作原理。对光电干扰模拟器技术进行研讨。CW-106红外干扰模拟器是一种便携带式光电干扰设备。它能模拟红外干扰机和红外干扰弹多种典型光电干扰环境。主要用于的技术阵地和实验室中检测评点源干扰导引头抗有源干扰的性能，定量分析红外导引头抗光电干扰的效果。并采用了自动检测技术，提高自动化测试程度。
6.一种实时红外目标跟踪处理算法
- 杨先超
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文讨论了一种基于线性及二次预测的实时的红外目标跟踪处理算法，给出了详细的跟踪策略，并提出了跟踪置信度和自适应波门调整的方法，实验结果表明，该算法具有良好的跟踪稳定性。
7.凝视热成象系统三维噪声分析研究
- 房红兵;皮德富;王广民;顾文韵
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：三维噪声技术是分析凝视热成象系统噪声模型的一种新方法，与传统的噪声分析方法比，这种方法更能体现凝视热成象系统的噪声特征。该文介绍了三维噪声技术的分析方法和理论框架，分析了传统噪声在三维噪声中的体现，并简单论述了三维噪声有关应用。
8.红外成象跟踪技术在高能激光武器中的应用与研究
- 陈宇飞
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：综述了高能激光武器中“光束定向器”的作用和系统构成。介绍了其目标捕获和跟踪实施方案。重点论述了红外成象跟踪技术在其中的作用、原理和技术构成。
9.凝视热成象系统的噪声分析
- 顾文韵;皮德富;房红兵
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文主要对第二代热成象系统中的凝视红外焦平面热成象系统的噪声进行研究，在与一代热成象系统相比较的基础上，分析了凝视热成象系统主要有哪些噪声，然后，介绍了一种先进的噪声分析模型一三维噪声模型。并结合这一三维噪声模型，对二代热成象系统（主要是凝视热成象系统）的主要噪声进行分析。
10.Windows环境下红外图象微机处理系统
- 梅林;张广明;谭振;侯成刚;王裕文
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：针对AGEMA系列红外热象仪的特点及该研究所设计的图象林集卡的硬件性能，开发了基于Windows 3.x/95环境下的红外图象微机处理系统。该系统的设计融合了当今先进的图象采集和处理、数据库管理等技术，具有结构紧凑、功能张大等特点。尤其是增加了热图局部发射率修正、温度曲线拟合等，使系统温度分析的功能得到进一步完善。红外数据库的设计则可方便地进行设备状态监测及维护，提高检测效率。该文详细介绍了该图象处理系统各模块的功能。
- 图象处理系统;
- 红外热象仪;
11.在Windows下用VB实现红外热图的调用
- 蔡旭彬
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：阐述了在Windows下怎样用Visual Basic语言通过利用Windows API函数实现HR-2红外热图的调用。
12.红外焦平面阵列中大容量图像数据的实时记录的显示
- 刘会通
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文描述的红外图像显示，记录系统结合了目前相关领域先进的计算机编程技术，以C语言为主体、内嵌核心汇编语言，可以完全控制对图像数据的操作，将IRFPA的数据实时记录在EIDE硬盘（硬盘容量为限）或扩展内存中，同时以VESA 112H即640×480×16M模式同步显示于SVGA上（256级灰度），记录的图像数据可以各种方式检索，图像也可以存储为Windows BMP格式，该系统与传统方法相比，无论在软件技术的先进性，还是显示质量，记录速度与容量或人机交流的灵活性等各方面都是一个突破。
13.便携式军用热像仪的机械结构设计
- 李芒
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：便携式军用热像仪是供侦察部队使用的轻便型热像仪，要求它具有优良成像性能、质量轻、结构紧凑、操作性好等特点，并应有良好的环境适应性和可靠性。为达到上述要求，在其机械结构设计中采用了组件化设计、优化设计和工程化设计方法，有针对性地采取了措施，在满足成像性能、减轻重量、合理安排结构和改善人机操作性能等方面作了研究。
14.小面元InSb光伏二极管线列的变化尺寸、变间距分析
- 张月琴;丁瑞军;杨华;林俊超;王正官;陈伯良;汪辉;陆蔚
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：对变面积，变间距InSb光伏二级管线列阵器件进行了零偏压阻抗，量子效率和小光点扫描测量分析，得到在目前材料和工艺水平下器件的最好R<,0>A值为6.45×10<10<'4>Ωcm<'2>，少子横向收集长度为33.4～39.3μm的像元之间串音为19～30μm的像元之间串音为19～36℅，说明少子横向收集和表面漏电等因素对小面元。，小间距列阵器件性能的影响不容忽视
15.串联电阻对碲镉汞p-n结电流-电压特性和R<,0>A的影响
- 陆慧庆;李向阳;赵军;方家熊
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：经过上述处理的电流-电压特性与实际测量的结果表现出很大的差别。在R<,0>A随温度的变化趋势上，不扣除串联电阻影响的情况下表现出在高温区接近产生-复合限制，而扣除串联电阻后得到的则更接近于扩散限制。而且后者R<,0>A在数值上比前者小2-3个数量级，表明串联电阻的影响是很大的，如果忽略这个因素，可能导致实际工艺中对器件的评价出现严重错误。
16.碲镉汞探测器的表面钝化
- 朱惜辰
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：半导体表面是具有特殊性的表面，对外界环境气氛极为敏感，因而严重地影响半导体的特性。表面对于碲镉汞红外探测器性能有决定性的影响。为了保证器件性能，提高可靠性和稳定性，必须对表面采取有效的保护措施即所谓表面钝化技术，钝化（降低）对外界环境的敏感性。
17.MCT红外器件表面钝化
- 耿小敏;罗元海
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：表面钝化是制作MCT红外器件的关键工艺之一，文章对不同的钝化方法及复合钝化膜进行了讨论，并给出了器件制作效果及对现有问题的讨论。
- 红外器件;
- 表面钝化;
18.炉中钎焊在红外探测器组件中的应用
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文介绍了在电子行业中较为重要的一项工艺——炉中钎焊的工艺特性，以及其应用于红外探测器组件中的作用及解决的技术问题。
19.IBS在多元HgCdTe器件制备工艺中的应用
- 武庆元
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文介绍了离子束系统的结构及工作原理，分析了离子源的构造，离子束的形成过程以及器件工艺对离子束性能的要求。通过对英国Oxford公司生产的离子束系统整机介绍，阐述了该系统如何配置以实现工艺过程中对离子束性能各项指标的需求。同时详尽阐述了离子束系统在多元碲镉汞红外探测器制造过程中的离子刻蚀工艺和延伸电级工艺中的具体应用。讨论了离子束性能指标，器件材料，沉积材料与刻蚀沉积速度之间的关系。重点分析了在工艺过程中由于离子束发生偏移而导致工艺无法正常进行的原因及解决方法。
- 多元器件;
- 制备工艺;
20.超导多元红外探测器装配工艺的改进
- 张敏;李国桢;曾群德;黄江萍
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文在分析工作人员研制的高Tc超导多元外探测装配工艺中存在的问题的基础上介绍了对装配工艺所作的改进，改进后的装配工艺使装好的超导多元约外探测器的R-T曲线与芯片中测时的一致，对改进前后所用粘接剂装配器件性能作了对比。从比较中可看出改进装配工艺后，提高了装配器件的可靠性，能满足工作制备超导多元外探测器的要求，提高了装配工艺的可靠性。
- 超导红外探测器;
- 装配工艺;
21.测温二极管的设计原理、定标及在红外探测器中的应用
- 马智玲;曾戈虹;赵晋云
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文主要介绍测温二级管的工作原理、设计考虑、定标方法以及在红外探测器中的应用。
22.探测器组件的抗振加固
- 以善珍;裘效诚;翟文生;王思俭;郭永康
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：针对探测器组件脱落的问题进行了分析试验，采取了抗振加固措施，经检验证明措施有效。该文详细叙述了整个PDCA循环，加固后的组件通过了整机振动试验。
- 探测器组件;
- 振动加固;
23.对影响快速冷却H22F16型红外探测制冷因素的分析
- 李芳
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：红外探测器大多需要在低温下工作，弹用的快速微型节流制冷光伏锑化铟红外探测器不是如此技术指标要求在极短时间内进入工作状态，要求制冷器将探测制冷至低温，其制冷速度是一项重要的指标。该文根据试验结果，对影响快速微型节流制冷光伏锑化铟红外探测器的快速制冷的因素作了分析与探讨。
- 红外探测器;
- 制冷因素分析;
24.对红外行扫仪光学系统中冷峰及冷干扰的分析
- 田爽
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文分析了红外行扫仪图像中冷峰及冷干扰产生的原因，并针对三棱镜系统的干扰提出一定的解决措施。
25.两种非均匀性校正算法在实施中的若干问题
- 刘会通
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：非均匀性是困扰焦平面阵列探测器应用于的一个特殊问题，对于高量子效率器件尤为严重，该文简要介绍了焦平面阵列所存在的非均匀性问题对系统性能和影响，分析了非均匀性校正通常所采用的标校法的缺陷，以及一种自适应算法在实施中的一些问题，探索了各自的实用性和局限性，以及某些可能的改进。
26.直升机近区红外辐射特性测试技术研究
- 洪流;张荫锡
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文首先分析了直升飞机的发动机结构特点、工作原理和红外辐射特性，再根据武装直升机的空战特点和导弹与目标的引战配合要求，探索研究出了一套对直升机的近场红外辐射测试方法，并通过对比分析，证明了该方法的可行性和可使性。
27.背景补偿测温系统在加热炉上的应用
- 刘芳;孙桂明
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文简述了背景补偿测温系统工业现场的应用原理及技术，介绍了背景补偿测温系统工作原理和系统构成，并列举现场应用实例。
28.红外频率选择表面的散射分析
- 侯新宇;万伟;万国宾
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：FSS在红外波段用作滤波器的实验研究已经取得了一些进展，而与此有关的理论分析尚未得到细致的研究，该文应用二维无限大FSS的谱域分析方法，建立了介质夹心FSS结构的谱域格林函数，用子域屋顶基函数表示FSS上的未知电流，并应用CG-FFT方法求解谱域积分方程，得到FSS上的电流分布，在此基础上研究FSS在红外波段的散射特性。
- 红外频率;
- 散射分析;
29.主动红外目标探测器的云雾识别与抑制
- 王广生;骆芳
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：云雾严重地影响主动红外目标探测器工作，该文对有关人工雾和自然雾的物理状态进行了初步研究所测试。对近距浓雾与主动红外目标探测器近红外辐射的相互作用，主要是后向散射作用进行了分析与试验。论述了用于主动红外目标探测器云雾与目标的识别方法及云雾抑制技术。
30.直线驱动分置式斯特林制冷器可靠性初步研究
- 孙中章
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：分置式斯特林制冷器在国外已大量应用于机载、舰载红外探测及空间红外遥感技术，其可靠性和寿命已达到较高水平。为了更好地满足实战需要，提高国产斯特林制冷器的可靠性是当前制冷器研究中一项极了紧迫及重要的任务。该文对分置式斯特林制冷器失效的主要几种因素进行统计、分析，并提出改进措施。
31.快速启动节流制冷器输气管路的工艺改进
- 周新斌
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：输气管路是快速启动节流制冷器中的重要部件，其主要作用是联接高压气源和节流制冷器，并滤除制冷工质中的杂质，为节流器提供纯净的制冷工质。由于其结构复杂，加工精度高，工艺性不够理想，装配和焊接困难，成品率约为30℅。通过改进工艺，使输气管路成品率提高到90℅以上。
32.半导体制冷技术的发展
- 宣向春;王维扬
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：材料是决定半导体制冷器性能的主要因素，但通过改进温差电对的电臂结构，设计特殊的电臂连接方式，同样能显著提高电对的制冷性能，同轴环臂温差电对和“无限级联”温差电对结构将会给您很好的证明。
33.浅谈致冷技术对高技术武器装备发展的影响
- 周伯勋;周琰
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：热力学的三个热电效应，奠定了导弹致冷技术的理论基础。该文对多种致冷型与非致冷型空空导弹的性能进行了比较，阐述了致冷技术在空空导弹中的应用对高技术武器装备发展的深刻影响。
34.全金属160光元导MCT微型杜瓦的研制及应用
- 郎维和;于小兵;吴玮;孙程
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文报导长波160元MCT红外探测器用全金属微型杜瓦的研制及达到的技术参数和使用结果
- 红外探测器;
- 杜瓦;
35.新型微杜瓦的研究
- 东海杰;张土山;唐剑;张艳冰;诸子玲;张薇;林国画;徐海涛;张友
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文介绍的焦平面用微型杜瓦采用玻璃金属混合结构，冷指内径Φ=8.28mm杜瓦总长度L=79.8mm。电极引出线54根，重量小于120g。
- 红外焦平面器件;
- 杜瓦;
36.Hg<,1-x>Cd<,x>Te/GaAs光伏中波红外探测器的变温特性研究
- 彭震宇
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：为研究能在较高温度(140-200)工作的光伏红外探测器，在GaAs衬底上MBE生长的Hg<,1-x>CdTe(x=0.31)p型材料上制作了光伏器件，研究了其在77K—220K温度间的变温特性，并与InSb器件进行了比较。
- 红外探测器;
37.高灵敏度室温锑化铟红外探测器研制
- 薛三旺
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文通过对室温工作的光导型锑化铟红个探测器的设计与工艺研究，在理论分析和工艺实验的基础上优选制造灵敏元的材料；精心设计探测器的光学系统；改进制造工艺，实现对灵敏元精密腐蚀的有效控制等。
- 室温;
38.Hg<,1-x>Cd<,x>Te/GaAs光伏中波红外探测器的变温特性研究
- 彭震宇
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：为研究能在较高温度(140-200)工作的光伏红外探测器，在GaAs衬底上MBE生长的Hg<,1-x>CdTe(x=0.31)p型材料上制作了光伏器件，研究了其在77K—220K温度间的变温特性，并与InSb器件进行了比较。
- 光伏器件;
39.MCT液相外延薄膜的低温热处理研究
- 陈建才;雷春红
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文主要介绍对用LPE法生长的MCT薄膜的低温热处理方法，并对LPE生长的MCT原生片和低温热处理后的外延片电参数、组份和形貌进行了对比分析。
40.LPE Hg1-xCdxTe薄膜生长工艺的研究
- 雷春红;陈建才;欧明娣;莫玉东;黄晖;董先庆
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文介绍昆明物理研究所开管、水平滑块、富Tc源方式下，生长 Hg1-xCdxTe(MCT)薄膜的液相外延(LPE)工艺技术，对外延膜的一些特性进行了分析。相外延，碲锅汞。
- 薄膜生长;
- 液相外延;
41.混合红外焦平面器件倒装焊芯片非接触找平方法
- 孙娟
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文介绍了非接触光学找平的基本原理和在倒装焊机中的实际应用，分析计算了找平误差，讨论了这种方法的优缺点。
42.128×1线列碲镉汞长波红外焦平面硅读出电路的研制
- 倪云芝;梁平治;丁瑞军;张学敏
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：研制了适用于128×1线列碲镉汞长波红外焦平面器件的硅读出电路。电路由CMOS移位寄存器进行选址，探测器的信号读出采用CTIA方式。采用这种读出方式，可以使探测器工作在零偏置状态，有利于降低器件的噪声。运算放大器为CMOS集成运放，128个集成运放做在同一个电路里。为提高电路的读出速度，整个电路分八路进行输出，与探测器之间由铟柱进行互联。
43.128元长波碲镉汞红外焦平面组件
- 罗元海;东海杰;喻松林;张土山;耿小敏;韩福忠;诸子玲;张建平
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文主要叙述工作在7.5μm-10.7μm波段范围的红外焦平面组件，它是由64×2双排交错排列的HgCdTe芯片，读出电路、微型杜瓦、斯特林制冷机、驱动电路组成，HgCdTe芯片与COMS读出电路——对应连接，安装在焦平面微型杜瓦内，在红外辐照下，器件在杜瓦内便可实现光电转换和信号处理，以两路视频信号输出，焦平面器件探测率K<'*,λ>≥7.5×10<'10>cmHz<'-1/2>W<'-1>，电压响应率Rv(λ)≥5A/W，它是一种实用化组件。器件的工作寿命可达5年。
44.砷注入碲镉汞P-on-N结特性研究
- 赵军;李向阳;胡晓宁;陆慧庆;胡新文;龚海梅;李言谨;方家熊
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：工作人员用砷离子注入N型碲镉汞材料，通过高低温两步退火以激活砷离子，成功制备了平面P-on-N结。工作人员对P-on-N结的结特性进行了一些研究。目前，对于λ<,c>=5.2μm器件，R<,0>A值达到68Ω-cm<'2>，黑体探测率D<'.,bb>(500K)可达2×10<'10>cm-Hz<'1/2>/W；对于λ<,c>=14.5μm的器件，R<,0>A值达到0.2Ω-cm<'2>，黑体探测率D<'.,bb>(500K)可达1×10<'10>cm-Hz<'1/2>/W。
45.用FTIR测量碲镉汞晶片组份X值的误差分析
- 吴人齐;P.维克多
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文九个碲镉汞标准组份样品（组份分别从0.195～0.230）进行不同条件的测量。根据统计分布理论分别计算出了它们的平均偏差和均方根偏差。并计算出用FTIR测量碲镉汞晶片组份X值的总误差δ∑=11.05cm<'-1>。
46.碲镉汞寿命测量样品制备工艺过程的优化
- 姚立斌;薛南屏
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文试图从减小样品表面复合速度入手来优化样品制备工艺过程。实验结果表明，适当选取的工艺过程可以大大减小表面复合对测量结果的影响。
47.双相复合生长大直径(Φ40)碲镉汞晶体
- 刘克岳;王金义
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文介绍了一种新的碲镉汞晶体生长方法（即双相复合生长法），详细阐述了该方法的生长机理和生长过程：分析了该方法生长过程中影响晶体生长的因素（生长温度、温度梯度、生长速率、固液界面等）：总结了该方法晶体生长的优点，并提出了晶体生长过程中存在的问题和改善晶体生长的措施：通过采取低温生长、低温梯度下慢速生长、生长后慢速冷却和适当的晶片退火等措施，获得了目前国内外报导直径最大、大单晶面积、径向组份均匀、光电性能良好、厚的晶片透过率的碲镉汞晶体。
48.MOVPE有CdTe衬底的损伤层研究
- 王静宇;刘朝旺;杨玉林;宋炳文
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：对用于有机金属汽相外延(MOVPE)生长的<211>方向的碲化镉(CdTe)衬底进行多次抛光、腐蚀，在相同的测量条件下，测其X射线双晶衍射回摆曲线的全半高宽度(FWHM)，研究CdTe衬底的表面损伤。
49.HgCdTe分子束外延材料电学性能
- 方维政;陈新强;王善力;杜美蓉;杨建荣;何力
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文报道了分子束外延(MBE)HgCdTe薄膜材料的电学性能的最新结果，从材料电学性能的均匀性、时间稳定性及热处理的可调性的角度分析了MBE技术的制备红外焦平面列阵器件(IRFPAs)上所具有的独特优势和潜力。分析表明：P型热处理MBE-HgCdTe材料纵向电学性质均匀且不随时间推移而变化，这些品质是制备红外焦平面列阵器件必须的。
50.HgCdTe分子束外延衬底温度的辐射研究
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：HgCdTe MBE生长的温度稳定性对于MCT的晶体质量起着重要的作用。研究结果表明；对于HgCdTe材料，组分不同使得材料的吸收系数发生变化，材料的发射率发生变化，因而表面辐射量不同：通过计算2-2.6um波段的辐射量变化发现，不同组分的HgCdTe材料，测温仪等到的温度读数经过几个振荡后趋于稳定，达到稳定所需要的时间随HgCdTe的组分不同而不同，小组分HgCdTe的温度读数振荡范围较小，周期稍长一些，达到稳定温度的时间比较短。工作人员利用红外辐射测温的方法获得样口表面温度的波动较小（小于±1°C），完全达到了HgCdTe生长温度的控制要求，获得了较好的晶体质量。
51.固态再结晶法生长碲镉汞晶体的缺陷研究
- 王跃;李全保;韩庆林;宋炳文;王跃
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文简单介绍了利用金相显微镜、扫描电镜和同步辐射等方法，在用固态再结晶技术生长的原生碲镉汞晶体中所观察到的缺陷，简单讨论了这些缺陷的成因及其与生长过程的关系，并认为提高原材料统纯度、合适的化学组分配比及改善淬火工艺，可以减少缺陷，改善碲镉汞晶体的质量。
52.昆明物理研究所HgCdTe光导探测器的现状及发展
- 蔡毅
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：“七五”、“八五”期间，昆明物理研究所成功的研制和发展了HgCdTe SPRITE探测器件和多元短线列光导HgCdTe 探测器组件，该文简要报导了这两种沉没器组件的现状和今后的发展。
53.直接注入方式64×64元红外焦平面的硅读出电路研制
- 江美玲;梁平治;张学敏;董亮初;丁瑞军;唐红兰
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：用于焦平面的读出电路是新研制的ISM64×64—2型电路，它是采用自积分读出模式工作的ISM64×64—1型电路的改进型。ISM64×64—2型电路采用直接注入读出模式工作。用这种方式工作的64×64元红外焦平面硅读出电路具有红外探测器可以在较低的偏压下工作，动态范围大，输出线性好的优点。
54.低成本非制冷红外焦平面探测器
- 皮德富;周士源;房红兵
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文叙述低成本非制冷的硅微辐射热计焦平面阵列长波(8～12m)红个探测器的结构、性能和应用。低成本、高性能、体积小、重量轻、低维护是其特点。可广泛地应用于军事和民用。
55.64×64元InSb光伏红外探测器列阵性能表征
- 陈伯良;陆蔚;王正官;杨华;汪辉
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：用改进的恒压微探针方法设备64×64元InSb凝视红外焦平面器件用光伏探测器列阵芯片的性能进行了统计抽样检测和均匀性评价，统计检测项目有像元零偏压电阻及其分布，像元黑体响应率及其分布，动态电阻偏压依赖关系，以及像元电学串音。结果表明冷探针统计抽样检测可作为评价二维InSb探测器列阵芯片性能的有效手段，其检测结果可作为挑选焦平面器件互连用芯片的重要依据。
- 红外探测器;
- 列阵性能表征;
56.红外焦平面参数测试系统
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：红外焦平面由单元探测器，经多元发展而来，探测器的元件数大大增加，并带有读出电路，具有信号获取与信号读出双重功能，其特性的描述增加了许多新的内容，如何评价焦平面器件的性能是焦平面器件研制的关键技术之一。红外焦平面由红外敏感列阵，大规模SI-CMOS信号读出集成电路组成，信号串行输出，测试系统必须提供焦平面工作需要的具有严格逻辑关系的多路时序脉冲和直流偏置、高速、低噪声、大容量的信号与数据处理功能，测试系统涉及半导体光电器件、自动控制、低温致冷、计算机等多学科，要求相当高。
- 红外焦平面;
- 参数测试;
57.64×64红外焦平面用读出电路测试分析
- 严峻;喻松林;方龙江;唐剑;韩建忠
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：读出电路是红外焦平面器件的重要组成部分之一。该文介绍了64×64凝视型碲镉汞红外焦平面的硅CMOS读出电路的测试分析情况。首先介绍该读出电路的电路功能及设计特点，叙述了工作方式及特点。对该读出电路的输出性能，噪声，功率，阈值电压及低温性能作了测试与讨论。
58.2×64元双色红外焦平面探测器的研究
- 张艳冰
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文报导了研制的2×64元双色红外焦平面探测器的结构特点，工艺研究重点以及测量方法和最终性能。对存在的主要问题进行了探讨，指出了改进方向。
59.红外焦平面阵列特性参数测试技术规范编制说明
- 董亮初;丁瑞军;唐红兰;陈世军;梁平治
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
60.红外焦平面技术进展及发展对策探讨
- 韩建忠
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
61.HgCdTe焦平面列阵光电子物理研究进展
- 褚君浩
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
- 红外焦平面列阵;
- 光电子物理;
62.红外焦平面硅CMOS信号处理电路测试技术
- 孙明峰;周劲松
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文详细介绍利用DIC-8032大型测试系统对红外焦平面信号电路的测试方法，测试码点的生成，电路的故障诊断和版图验证及测试程度的开发性。
63.混合式红外焦平面阵列互连铟凸点技术
- 李建林
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文讨论了金属铟柱高度的计算方法，认为矩形截面的铟柱抗弯曲的能力比圆形截面的铟柱更强，指出器件制造工艺误差的影响，严格控制健合的压力和键合后的铟柱高度是获得100℅互连成品率的关键。并给出一种利用表面能原理得到较高金属的方法。
64.混成红外焦平面铟柱制备及应用
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文报导一种制备In柱的新方法及初步的实验结果，并就其制备原理、设计原则、工艺难度进行了分析讨论。认为用该技术制备的In柱可满足混成红外焦平面倒装互连的要求。
65.高Tc超导4×4元面阵研制
- 刘心田;李标;石保安;刘兴海;陈惠秀;诸君浩
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：选用高Tc超导薄膜YBa<,3>Cu<,3>O<,7-8>引用微加工技术，制出了4×4元面阵红外探测器，超导膜用湿法工艺光刻成折线结构，总红长约2000μm，可提高敏感元工作电阻率。对于4×4元列阵。16个敏感元公用电极的安排是小关键。在工作人员的设计中。16个敏感元是同时读取信号，其探测率D<'.>1.2×10<'A>-7.2×10<'3cm·Hz<'1/2>·W<'-1>之间，工作温度为88K。
66.64/128元线列混成InSb焦面探测器
- 黄水安;王巍
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：研究人员制造的64/128元线列混成InSb焦面探测器是光伏型的，由光伏型线列Sb芯片与Si-CMOS多路传输器混成，集成在一个微型玻璃杜瓦中，探测器的光电信号输出有两路，可以进行相关双取样处理。64元器件的光敏面为70×70μm<'2>，128元器件的光敏面为50×50μ m<'2>；探测器的视埸可以按用途确定；工作波段为3.7～4.8μm ；采用J-T效应制冷器，其D<'*>bb·1.5×10<'10>cm·Hz<'1/2>/W，响应率不均匀度≤±10℅，读出速率≥1MHz。
67.64×64 InSb凝视焦平面探测器技术研究
- 赵建中
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文根据近两年来在64×64 InSb凝视焦平面探测器研究工作中的一些问题及进展对InSb凝视焦平面探测器技术所涉及的几项关键工艺进行了一些分析，并对如何解决这些问题提出了一些认识。最后介绍了目前64×64 InSb凝视焦平面探测器的研究进展。
- 焦平面探测器;
- 读出电路;
68.HgCdTe超重力晶体生长系统
- 李全葆
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文通过详细的理论推导，求得离心机转速随剩余熔体长度的变化规律。
- 晶体生长;
- 超重力晶体;
69.垂直布里奇曼法生长CdTe和CdZnTe衬底晶体中的沉积相或包裹体及其检测
- 莫玉东;董先庆;秦娟;岳全龄;陈华
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：介绍了垂直布里奇曼方法生长的CdTe和CdZnTe衬底晶体中沉积相对衬底质量和外延碲镉汞薄膜质量的影响、沉积相或包裹体形成的原因、控制原理以及减少沉积相密度和尺寸的方法；给出了不同CdTe和CdZnTe晶体样品中沉积相的红外显微反射象、光学显微象和X射线衍射反射扫描象，并用扫描电子探针证实了这些沉积相大多数是碲的沉积相，同时给出了这些沉积相的密度的尺寸。
70.用红外透射法确定任意厚度下磅镉汞晶体的组分
- 杨彦;廖仕坤;刘新进;李玉德
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文选用组分(X=0.170-0.300)均匀碲镉汞晶片作减薄实验，即将样品的厚度从800μm逐次减去处100μm后，在室温下用红外光谱仪测量晶片在不同厚度的透射光谱。取透射比为5℅对应的波长值，结合理论计算，得到了用红外透射法测量800μm范围内任意厚度下碲镉汞晶体组分的经验公式。然后，选用任一碲镉汞晶片，将其厚度逐次减薄后，均测量透射比为5℅对应的波长值，用此经验公式计算组分。结果表明；同一碲镉汞晶片，在不同厚度时，用该文的经验公式得到的组分值均相同。还将组分结果同Higgins的结果进行了比较，两者相当一致。
71.测量半导体中少子漂移迁移率和扩散长度的新方法
- 李言谨;方家熊
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：根据少子衰退的加速度分布，提出了一种测量半导体中少子漂移迁移率的新方法。实测了窄禁带半导体碲镉汞的少子迁移率和扩散长度。
72.外延HgCdTe薄膜用CdZnTe衬底表面的X射线双晶衍射分析
- 黄晖;吴刚;何永成;莫玉东;雷春红;刘朝旺
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文用测量材料双晶回摆曲线的方法详细研究了外延HgCdTe（简称MCT）薄膜所用CdZnTe（简称CZT）衬底的表面结构情况。指出对CZT的切割、粗研所引起的表面损伤在用精研及化学腐蚀的方法去除之前，对表面结构完整性的主要影响来自损伤层未完全去除；当损伤层之后，对表面结构完整性的主要影响来自化学腐蚀对衬底的不均匀取向腐蚀。所以衬底的化学腐蚀时间的正确使用一达到恰好去除损伤层，而又不再进行之后的不均匀取向腐蚀一是制备出最有利于外延生长用CZT衬底表面结构的重要的因素。
73.HgCdTe/CdTe界面组分互扩散研究
- 巫艳;杨建荣;陈新强;方维政;王善力;于梅芳;乔怡敏;何力
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：该文尝试椭偏测量的方法，通过对HgCdTe/CdTe/GaAs样品进行剥层腐蚀，获得样品在不同厚度下的椭偏光谱。对测得的光谱进行组分分析，得到HgCdTe/CdTe样品的组分在不同厚度下的分布。并根据上述结果对Zanio的提出扩散系数公式(1)进行修正，最终得到490°C的组分互扩散系数。D(x)=4×10<'-3>×10<-3x>
74.运算放大器积分模式在红外焦平面读出电路中的应用
- 梁平治;江美玲;倪云芝;冯晓梅
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：根据一种短波红外碲镉线列焦平面的要求，工作人员研制了一种采用运放积分模式的读出电路，型号为MCT-22-5
75.质子辐照制备HgCdTe光电二极管的性能研究
- 胡新文;李向阳;赵军;陆慧庆;龚海梅;方家熊
- 《第十三届全国红外科学技术交流会》 | 1998年
摘要：同质子辐照P型碲镉汞材料的方法成功地制备了n-on-p型短波与中波光伏器件，其中中波器件的载止波长为6.5mm，黑体探测率达2.3×10<'10>cmHz<'0.5>W<'-1>，量子效率为28℅，其R<,0>A在175Ω·cm。对辐照前后材料和器件的载止波长变化作出了初步解释。C-V特性研究发现其为突变结，其噪声频谱表明在低频(<300Hz)时主要时1/f噪声限制，在中频和高频时主要是白噪声限制。短波器件和电流电压特性表明器件在室温可承受15V的反向偏压。