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一种分析界面碳化对Cr/DLC多层膜影响的方法

摘要

本发明公开了一种分析界面碳化对Cr/DLC多层膜影响的方法。所述方法采用中频磁控溅射技术制备若干种调制周期不同、层数不同、总体厚度相同的Cr/DLC多层膜,采用扫描电子显微镜、俄歇电子能谱、X射线衍射仪、拉曼光谱仪、三维白光干涉表面轮廓仪、划痕仪、纳米压痕仪、显微硬度计,分析各种Cr/DLC多层膜样品的微观结构及力学性能变化,探究多层膜层间界面碳化对Cr/DLC多层膜结构和力学性能的影响机理。通过所述方法,可以清晰地考察界面处Cr的碳化对Cr/DLC多层膜碳价键微结构和内应力的影响,系统阐述碳价键及相组成以及内应力的变化对薄膜力学性能的影响,填补了理论和实践空白。

著录项

  • 公开/公告号CN106501479B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-08-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国地质大学(北京);

    申请/专利号CN201610910974.2

  • 发明设计人 于翔;张静;任毅;

    申请日2016-10-19

  • 分类号

  • 代理机构北京中誉威圣知识产权代理有限公司;

  • 代理人蒋常雪

  • 地址 100083 北京市海淀区学院路29号

  • 入库时间 2022-08-23 10:38:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-06

    授权

    授权

  • 2017-05-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N33/20 申请日:20161019

    实质审查的生效

  • 2017-05-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 33/20 申请日:20161019

    实质审查的生效

  • 2017-03-15

    公开

    公开

  • 2017-03-15

    公开

    公开

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