漏连接半超结氮化镓基垂直型异质结功率器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种漏连接半超结氮化镓基垂直型异质结功率器件，其自下而上包括：肖特基漏极(15)、衬底(1)、漂移层(3)、孔径层(5)、左右两个对称的电流阻挡层(6)、沟道层(8)、势垒层(9)、帽层(10)和栅极(12)；两个电流阻挡层(6)之间形成孔径(7)，势垒层上的两侧淀积有两个源极(14)，两个源极下方通过离子注入形成两个注入区(13)，帽层两侧刻有两个台阶(11)；其中：衬底与漂移层的两侧有两个对称的P柱(2)，两个P柱的上部与电流阻挡层下部之间设有辅助层(4)，肖特基漏极采用高功函数金属。本发明击穿电压高、导通电阻小，可用于电力电子系统。