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一种基于铁电栅介质和CdSe纳米线的光电晶体管

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摘要

本发明属于微纳光电探测器领域，具体涉及一种基于PZT铁电薄膜栅介质的CdSe纳米线光电晶体管及其制备方法。该器件为背栅结构，主要包括源极、漏极、沟道、栅极、栅介质和衬底。其中，沟道材料为In掺杂的CdSe纳米线，栅极为金属或SrRuO

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1. 一种基于铁电栅介质和CdSe纳米线的光电晶体管 [P] . 中国专利： CN107293616B . 2019.05.21
2. 一种铁电栅介质CdSe纳米线光电晶体管及其制备方法 [P] . 中国专利： CN107293616A . 2017-10-24
3. CdSe - CdSe - Method for preparing core-shell structure comprising CdSe core based on glyme solvent and the core-shell structure prepared therefrom [P] . 韩国专利： KR20170133030A . 2017-12-05

机译： CdSe-CdSe-制备基于甘醇二甲醚溶剂的包含CdSe核的核-壳结构的方法以及由其制备的核-壳结构
4. One-time programmable memory device for integrated circuit, comprises floating gate formed over active area and isolation layer, inter-gate dielectric layer formed on floating gate, and control gate formed on inter-gate dielectric layer [P] . 德国专利： DE102004025974A1 . 2005-04-07

机译：一种用于集成电路的一次性可编程存储器件，包括：形成在有源区和隔离层上的浮栅;形成在浮栅上的栅间电介质层;以及形成在栅间电介质层上的控制栅
5. Replacement of the gate a method for metal gate stack with a large ε on the basis of a not - conformal said interlayer dielectric [P] . 德国专利： DE102010030756B4 . 2013-06-06

机译：栅的替换是一种基于不共形的所述层间电介质的，具有较大ε的金属栅堆叠的方法