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多晶硅晶粒尺寸测量装置及多晶硅晶粒的尺寸测量方法

摘要

本发明提供一种多晶硅晶粒尺寸测量装置及多晶硅晶粒的尺寸测量方法,所述多晶硅晶粒尺寸测量装置的结构简单,所述多晶硅晶粒的尺寸测量方法易于操作,利用光学原理测量多晶硅晶粒尺寸,可快速有效的分析出多晶硅薄膜的晶粒尺寸和结晶均匀性,减少了切片、泡酸和扫描电子显微镜测试环节,提高多晶硅晶粒尺寸测量效率和降低生产成本,并可对生产过程中多晶硅薄膜的结晶质量进行量化性实时监控。

著录项

  • 公开/公告号CN106057701B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-02-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉华星光电技术有限公司;

    申请/专利号CN201610643326.5

  • 发明设计人 余宏萍;

    申请日2016-08-08

  • 分类号H01L21/66(20060101);

  • 代理机构44265 深圳市德力知识产权代理事务所;

  • 代理人林才桂

  • 地址 430070 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋

  • 入库时间 2022-08-23 10:26:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-02-19

    授权

    授权

  • 2016-11-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/66 申请日:20160808

    实质审查的生效

  • 2016-11-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20160808

    实质审查的生效

  • 2016-10-26

    公开

    公开

  • 2016-10-26

    公开

    公开

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