公开/公告号CN106245110B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-12-28
原文格式PDF
申请/专利权人 河北同光晶体有限公司;
申请/专利号CN201610750958.1
申请日2016-08-30
分类号C30B23/00(20060101);C30B29/36(20060101);
代理机构11254 北京连城创新知识产权代理有限公司;
代理人郝学江
地址 071051 河北省保定市北二环路5699号大学科技园6号楼B座四楼
入库时间 2022-08-23 10:23:43
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-12-28
授权
授权
2017-01-18
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B23/00 申请日:20160830
实质审查的生效
2017-01-18
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 23/00 申请日:20160830
实质审查的生效
2016-12-21
公开
公开
2016-12-21
公开
公开
机译: 减少SiC晶体生长中的位错的方法
机译: 制造SiC晶体以减少基体和SiC晶体,SiC单晶膜,SiC半导体元件,SiC单晶体基体和电子器件中的微管传播的方法以及制造SiC球体的方法
机译: 减少SIC晶体生长的位错(PVT)和相关产品的方法