ワイドギャップ半導体の結晶成長技術－高度環境·エネルギー社会に向けて－SiCの半導体的性質と結晶成長法

播磨弘

首页> 外文期刊>金属 >ワイドギャップ半導体の結晶成長技術－高度環境·エネルギー社会に向けて－SiCの半導体的性質と結晶成長法

【24h】

ワイドギャップ半導体の結晶成長技術－高度環境·エネルギー社会に向けて－SiCの半導体的性質と結晶成長法

机译：宽间隙半导体晶体生长技术-走向先进的环境和能源社会-SiC半导体特性和晶体生长方法

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

SiCの構造を紹介したあと基礎的性質，特に分光学的観察から見出される電子的性質に重点をおいて紹介し，その後で結晶成長法についてごく簡単に分類，紹介する．

机译：在介绍了SiC的结构之后，我们将重点介绍基本特性，尤其是从光谱观察中发现的电子特性，然后非常简单地对晶体生长方法进行分类和介绍。

著录项

来源
《金属》 |2009年第1078期|共7页
作者
播磨弘;
展开▼
作者单位

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类金属材料;冶金工业;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. ワイドギャップ半導体の結晶成長技術－高度環境·エネルギー社会に向けて－SiCの半導体的性質と結晶成長法 [J] . 播磨弘金属 . 2009,第11a1078期

机译：宽间隙半导体晶体生长技术-走向先进的环境和能源社会-SiC半导体特性和晶体生长方法
2. ワイドギャップ半導体の結晶成長技術－高度環境·エネルギー社会に向けて－チョクラルスキー法によるサファイア結晶成長 [J] . 飯野貴幸, 寒河江英章, 小見利行, 金属 . 2009,第11a1078期

机译：宽间隙半导体晶体生长技术-迈向先进的环境与能源社会-Chokralsky法生长蓝宝石晶体
3. ワイドギャップ半導体の結晶成長技術－高度環境·エネルギー社会に向けて－チョクラルスキー法によるサファイア結晶成長 [J] . 飯野貴幸, 寒河江英章, 小見利行, 金属 . 2009,第11a1078期

机译：宽隙半导体晶体生长技术 - 先进的环境和能源社会 - 蓝宝石晶体增长由Chooclar SKI方法
4. ワイドギャップ酸化物半導体結晶層の溶液成長 [C] . 鈴木清香, 手嶋勝弥, 大石修治表面技術協会講演大会 . 2010

机译：宽间隙氧化物半导体晶体层的溶液生长
5. Si基板上III-V族化合物半導体の結晶成長とレーザへの応用に関する研究利用統計を見る [D] . 須郷満 1993

机译：Si衬底上III-V族化合物半导体的晶体生长及其在激光中的应用研究
6. 化合物半導体のエピタキシャル成長技術―結晶成長技術の最先端（１） 1.混晶薄膜の結晶成長メカニズム [O] . 1987

机译：复合半导体 - 尖端（1）的外延生长技术。混合微岩的晶体生长机理

ワイドギャップ半導体の結晶成長技術－高度環境·エネルギー社会に向けて－SiCの半導体的性質と結晶成長法

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅