公开/公告号CN105719966B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-11-20
原文格式PDF
申请/专利权人 河源市众拓光电科技有限公司;
申请/专利号CN201610147664.X
发明设计人 李国强;
申请日2016-03-15
分类号H01L21/324(20060101);H01L21/203(20060101);C23C14/28(20060101);
代理机构44288 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙);
代理人秦维
地址 517000 广东省河源市高新技术开发区兴业大道东边、高新一路创业服务中心三楼317室
入库时间 2022-08-23 10:20:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-11-20
授权
授权
2016-07-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/324 申请日:20160315
实质审查的生效
2016-07-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/324 申请日:20160315
实质审查的生效
2016-06-29
公开
公开
2016-06-29
公开
公开
机译: 在硅衬底上外延生长单晶氮化铝层的方法包括准备衬底以形成平台层,蒸发铝层
机译: 这使得可以在晶体衬底上获得半导体-极性氮化物层,该半导体-极性氮化物由以下材料中的至少一种获得:镓(ga),铟(in)和铝(al。)
机译: 这使得可以在晶体衬底上获得半导体-极性氮化物层,该半导体-极性氮化物由以下材料中的至少一种获得:镓(ga),铟(in)和铝(al。)