一种VDMOS器件用薄Sb衬底上制备厚层外延的方法

摘要

本发明涉及一种VDMOS器件用薄Sb衬底上制备厚层外延的方法。将外延炉石墨基座下方的9组调节杆的刻度值分别进行设定；利用氯化氢HCl气体在高温下对外延炉基座进行刻蚀抛光；向外延炉基座片坑内装入硅衬底片，利用HCl气体对硅衬底片表面进行抛光；采用大流量氢气对硅衬底片表面进行吹扫；在硅片上生长一层很薄的本征外延层；进行掺杂外延层的生长；掺杂外延层生长达到预定厚度后开始降温；对外延片九个测试点的厚度进行测量，从而获得硅外延片的平均厚度及其均匀性。实现了对400μm的薄Sb衬底的外延生长的良好控制，其厚度不均匀性<0.5%，边缘无滑移线、崩边、损伤等缺陷，满足VDMOS器件对硅外延层的要求，提高了器件的加工良率。