一种肖特基器件用重掺薄磷衬底上硅外延层的制备方法

摘要

本发明涉及一种肖特基器件用重掺薄磷衬底上硅外延层的制备方法,采用常压平板式外延炉,步骤包括，（1）利用纯度≥99.99%的氯化氢在高温下对外延炉基座进行抛光；（2）向外延炉内装掺磷硅衬底片，依次用纯度均≥99.999%的氮气和氢气吹扫外延炉腔体；（3）利用氯化氢气体对硅衬底片表面进行抛光；（4）采用大流量氢气对硅衬底片表面进行吹扫；（5）进行本征外延层的生长；（6）对外延炉反应腔室进行变流量吹扫；（7）进行掺杂外延层的生长。有益效果是外延层为厚度不均匀性<1%，电阻率不均匀性<1%，表面无层错、位错、滑移线、雾等缺陷，最佳条件下过渡区宽度可小于1 um，完全满足肖特基器件对硅外延层的要求，提高了肖特基器件的性能和良率。