一种量子阱半导体激光外延结构及量子阱激光器

摘要

本发明公开了一种量子阱半导体激光外延结构及量子阱激光器，包括有源层以及分别位于有源层的相对两侧且与有源层堆叠排列的第一包层和第二包层；有源层包括沿有源层与第一包层和第二包层的堆叠方向设置的第一波导层、第一量子阱层、第二量子阱层以及第二波导层；其中，第一量子阱层中载流子辐射复合时所发出的光子的波长对应于外延结构所需的输出波长，第二量子阱层中载流子辐射复合时所发出的光子的波长小于该输出波长。本发明通过第二量子阱层对逃逸的载流子间接回收利用，提高了器件的内量子效率，降低了器件的阈值电流。