基于自旋霍尔效应磁隧道结的非易失性锁存单元

摘要

本发明涉及一种基于自旋霍尔效应磁隧道结的非易失性锁存单元，是在传统锁存单元的基础上，集成非易失性自旋霍尔效应磁隧道结器件，使锁存单元具有非易失性，具体包括两种方案。方案一是基于面内磁各向异性自旋霍尔效应磁隧道结的非易失性锁存单元；整个非易失性锁存单元由2个PMOS晶体管8个NMOS晶体管以及2个面内磁各向异性自旋霍尔效应磁隧道结组成。方案二是基于垂直磁各向异性自旋霍尔效应磁隧道结的非易失性锁存单元；整个非易失性锁存单元由2个PMOS晶体管，9个NMOS晶体管以及2个垂直磁各向异性自旋霍尔效应磁隧道结组成。本发明解决了传统易失性锁存单元掉电数据丢失的问题，从而减小锁存单元的静态功耗，同时提高数据可靠性。