公开/公告号CN105097618B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-01-26
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;
申请/专利号CN201510435942.7
申请日2015-07-22
分类号
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人智云
地址 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号
入库时间 2022-08-23 10:06:53
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-01-26
授权
授权
2015-12-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/67 申请日:20150722
实质审查的生效
2015-11-25
公开
公开
机译: 用于气相薄膜生长的腔室晶圆载体中的第四级晶圆负载结构,以及用于相同尺寸的四级晶圆载体的第二级晶圆载体,能够制造具有良好泄漏电流阻塞特性的激光二极管
机译: 晶圆加工腔室以及在同一晶圆内转移晶圆的方法
机译: 半导体制造的负载锁定腔室,使观察带有裸眼的腔室中的晶圆刮擦和晶圆滑动