具有垂直结构晶体管的磁性随机存取存储器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有垂直结构晶体管的磁性随机存取存储器，它具有比SRAM快的存取时间、与DRAM相似的高密度以及类似快闪存储器的非易失性的特性。磁性随机存取存储器包括一个垂直结构晶体管、一条包括该晶体管的第一字线、一条连接该晶体管的接触线、一个沉积在接触线上的磁性隧道结单元、一个形成在磁性隧道结单元上的位线，以及一条形成在磁性隧道结单元位置处的位线上的第二字线。通过这种公开的结构，在使用简化的制造过程的同时，可以提高半导体器件的集成密度、提高短沟道效应，并提高电阻的控制率。