法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-12-29
授权
授权
2016-04-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/36 申请日:20151207
实质审查的生效
2016-03-30
公开
公开
机译: 硅基板上用于III-V氮化物层的渐变铝-镓-氮化物和超晶格缓冲层
机译: 硅团簇超晶格,硅团簇超晶格的制备方法,硅团簇的制备方法,硅团簇超晶格结构,硅团簇超晶格结构的制备方法,半导体器件和量子器件
机译: 氮化物半导体发光器件,具有有源层的Ingan / Algan超晶格