砷化镓基低漏电流双固支梁开关双栅倍频器

摘要

本发明的GaAs基低漏电流双固支梁开关双栅HEMT倍频器，由GaAs衬底，增强型HEMT，外接的低通滤波器，压控振荡器，除法器、高频扼流圈构成。两个固支梁开关悬浮在两个栅极上，作为参考信号和反馈信号的输入，固支梁开关下拉电压设计为HEMT阈值电压，在直流偏置下控制HEMT的导通。两个固支梁开关均断开时，栅电压为0，没有沟道，HEMT截止，有利于减小栅极漏电流。两个固支梁开关均下拉闭合与栅极接触时，二维电子气沟道形成，HEMT导通，参考信号和反馈信号通过HEMT放大，漏极输出经低通滤波器、压控振荡器以及除法器反馈循环后，得到倍频信号。只一个固支梁开关闭合时，可实现对选通信号的单独放大，电路具有多功能。